記者9日從復(fù)旦大學(xué)獲悉，該校集成芯片與系統(tǒng)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、集成電路與微納電子創(chuàng)新學(xué)院周鵬—?jiǎng)⒋荷瓐F(tuán)隊(duì)研發(fā)出全球首顆二維—硅基混合架構(gòu)閃存芯片，解決了存儲(chǔ)速率的技術(shù)難題。相關(guān)研究成果8日發(fā)表于國(guó)際學(xué)術(shù)期刊《自然》。

這是復(fù)旦大學(xué)繼“破曉（PoX）”皮秒閃存器件問(wèn)世后，在二維電子器件工程化道路上的又一次里程碑式突破。

這一成果將二維超快閃存與成熟互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體工藝深度融合，攻克了二維信息器件工程化的關(guān)鍵難題，率先實(shí)現(xiàn)全球首顆二維—硅基混合架構(gòu)閃存芯片的研發(fā)。產(chǎn)業(yè)界相關(guān)人士認(rèn)為，這種芯片可突破閃存本身在速度、功耗、集成度上的平衡限制，未來(lái)或可在3D應(yīng)用層面帶來(lái)更大市場(chǎng)機(jī)會(huì)。